絕緣電阻表的精度等級的表示

絕緣電阻表主要用于測量電氣設備的絕緣電阻，絕緣電阻的測量對于保證電氣設備產(chǎn)品質(zhì)量，保護工作人員和運行設備的安全具有重要的意義。絕緣電阻表屬于直接作用模擬指示電測量儀表，由于它的讀數(shù)以兆歐為單位，所以俗稱“兆歐表”。 絕緣電阻表的工作原理 電氣工程中常需要用絕緣電阻表測試絕緣材料的絕緣電阻，它們的阻值在幾百到幾千兆歐，并且隨著測試值的增大，絕緣電阻表的相應量程電壓增大。 絕緣電阻表由手搖發(fā)電機和磁電系比率計構(gòu)成，其工作原理與萬用表相似，只是在測量電阻的電路中設有電源，如圖1所示。 由于絕緣電阻的阻值大，必須有較高的電壓才能得到足夠的靈敏度，因此絕緣電阻表中配有一臺手搖發(fā)電機，它是隨著絕緣電阻表的量程而配比的發(fā)電機，量程越高，配用發(fā)電機的發(fā)生電壓越高，配用的發(fā)電機從500～2500V，額定轉(zhuǎn)速為120r／min。 絕緣電阻表的測量機構(gòu)如圖1a所示，它與磁電系儀表相似，但它有兩個線圈，兩個線圈呈一定角度固定到軸上，固定部分為 磁鐵。絕緣電阻表中設有游絲，電流由無反作用力矩的導流絲引入，線圈中的環(huán)形鐵心有缺口，并且鐵心和 磁鐵磁極之間的氣隙不均勻。因此氣隙中的磁場不均勻，線圈轉(zhuǎn)動在不同位置所產(chǎn)生的力矩不同，從而使指針的偏轉(zhuǎn)角與兩線圈中的電流比率成正比，因此把這種測量機構(gòu)稱為比率計。 絕緣電阻表準確度等級的表示 絕緣電阻表是國家強制檢定的計量器具，在使用前必須按照檢定規(guī)程規(guī)定的檢定周期進行檢定，合格后方可使用。 絕緣電阻表是否符合其準確度等級，主要是通過基本誤差的檢定來判斷的。在JJG622-1997《絕緣電阻表（兆歐表）》檢定規(guī)程中，對于絕緣電阻表準確度等級分5級：1.0、2.0、5.0、10.0、20.0，其基本誤差是用相對誤差表示的。在標度尺測量范圍（有效范圍）內(nèi)，每條選定分度線的基本誤差應不超過所對應絕緣電阻表的準確度等級。以前生產(chǎn)的絕緣電阻表的基本誤差是按標尺弧度定義的，即以儀表的弧長誤差與標尺總弧長之比的百分數(shù)表示。 由于基本誤差表示方法的不同，按舊標準和新標準生產(chǎn)的絕緣電阻表準確度等級產(chǎn)生了很大的區(qū)別。例如：對于原來的1.0.1.5級表，其基本誤差是按標尺弧長表示的，目前這種用弧長表示的準確度等級仍在使用。那么新的檢定人員在檢定絕緣電阻表時，不注意表盤上的準確度等級的標志，誤將原來弧長表示的1.9級表，當成現(xiàn)在用相對誤差表示的（?？杉壉?，在檢定結(jié)果判定時，就會出現(xiàn)嚴重錯誤，其實它相當于用相對誤差表示的準確度等級為10.0級表。按照JJG622-1997《絕緣電阻表（兆歐表）》檢定規(guī)程中表1的規(guī)定，下面將絕緣電阻表準確度等級及允許示值誤差與允許弧長誤差作了一個表，便于對照。

晶閘管為什么兩端要對接電阻電容

一、晶閘管（可控硅）兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管（可控硅）電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡，該網(wǎng)絡常稱為RC阻容吸收電路。 我們知道，晶閘管（可控硅）有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管（可控硅）在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管（可控硅）從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的 電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管（可控硅）的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管（可控硅）的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管（可控硅）可以看作是由三個PN結(jié)組成。 在晶閘管（可控硅）處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當于一個電容C0。當晶閘管（可控硅）陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管（可控硅）在關(guān)斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管（可控硅）誤導通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管（可控硅）上的陽極電壓上升率應有一定的限制。 為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管（可控硅）安全運行，常在晶閘管（可控硅）兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的（變壓器漏感或負載電感），所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞晶閘管（可控硅）。同時，避免電容器通過晶閘管（可控硅）放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管（可控硅）。 由于晶閘管（可控硅）過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡就是常用的保護方法之一。